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晶體管參數測試儀
產品型號：JFY3022A
產品編號：TC-023911
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晶體管參數測試儀 型號：JFY3022A
JFY3022A晶體管參數測試儀詳細介紹
※概述:
JFY3022A晶體管參數測試儀，是一種**門用于各種電子元件參數測試的新型多功能測試裝置。該機采用大規模MCU設計,中文界面操作,大容量內存,可存2000種元件參數設置數據.儀器外型美觀、性能穩定、測量準確、操作簡單、使用安全方便,適用電子產品生產廠家或電子元件供應商來料檢測。
※ 測量元件類型:
N型三*管,P型三*管,N型MOS場效應管,P型MOS場效應管N型結型場效應管,正負三端穩壓IC,三端肖特基,基準器431,整流二*管,整流橋堆，可控硅，穩壓二*管.
※ 測量參數:
■ 整流二*管,三端肖特基，整流橋堆:
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參(can)數項 |
測試參數 |
測試條件設置 |
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正向壓降(VF) |
0-2.000V |
0-2.000A |
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耐壓(ya)(VRR) |
0-1500V |
0-2.000MA |
■N型三*管:
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參數項 |
測試參數 |
測試條件設置 |
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輸(shu)入正向(xiang)壓降(VBE) |
0-2.000V |
0-2.000A |
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耐壓(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000MA |
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放大倍數(HEF) |
0-3000 |
VCE:0-20V IC:0-2.000A |
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飽(bao)和壓降(Vsat) |
0-2.000V |
IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型三(san)*管:
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參數項(xiang) |
測試參數 |
測試條件設置 |
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輸入正向(xiang)壓降(jiang)(VBE) |
0-2.000V |
0-2.000A |
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耐壓(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000MA |
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放(fang)大倍數(HEF) |
0-3000 |
VCE:5.0V IB:100uA |
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飽和壓降(Vsat) |
0-2.000V |
IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS場效應管(guan):
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參數項(xiang) |
測試參數 |
測試條件設置 |
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啟動電(dian)壓(VGS(th)) |
0-20.00V |
0-2.000mA |
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耐壓(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000mA |
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導通內阻(Rson) |
0.1Mr-200R |
Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
單雙向可控硅:
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參數項(xiang) |
測試參數 |
測試條件設置 |
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觸發電流(IGT) |
0-40.MA |
VD=0-20V,ID=0-2.000A |
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觸發電(dian)壓(VGT) |
0-2.000V |
VD=0-20V,ID=0-2.000A |
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耐壓(VDRM VRRM) |
0-1500V |
0-2.000mA |
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通態壓降(VTM) |
0-2.000V |
IT:0-2.00A |
三端(duan)穩(wen)壓(ya)IC:
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參數項 |
測試參數 |
測試條件設置 |
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輸出電(dian)壓(ya)(Vo) |
0-20.00V |
Vin:0-20V Io:0-2.00A |
基準IC 431:
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參數項 |
測試參數 |
測試條件設置 |
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輸出電壓(ya)(Vo) |
0-20.00V |
IZ:0-200mA |
■ 穩壓(ya)二*管:
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參數(shu)項 |
測試參數 |
測試條件設置 |
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穩壓值(VZ) |
0-20V |
0-100MA |
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穩壓值(VZ) |
20-200V |
0-2.000MA |
